高带宽内存（HBM）是一种基于3D堆栈工艺的高性能动态随机存取存储器（DRAM），由AMD和SK海力士发起，于2013年10月成为JEDEC工业标准 。主要生产商包括SK海力士、三星和美光 。
HBM通过3D堆栈工艺和硅通孔（TSV）技术垂直堆叠多个DRAM芯片，相较于传统DRAM显著提升了带宽并降低了单位数据能耗 ，并成为AI服务器GPU的核心组件 。预计到2026年，HBM市场规模将实现接近60%的增长，占据DRAM市场近四成的份额 。三星的HBM4已于2026年2月启动量产 ，其后续的HBM5将采用2纳米GAA工艺 。三星电子还公布了名为zHBM的新系统 。与此同时，以高带宽闪存（HBF）为代表的新型存储技术路线正在浮现，预计于2027年实现商业化 。
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