SF3工艺是三星电子研发的第二代3纳米制程工艺，采用了全环绕栅极（GAA）晶体管技术，具体为多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构 。该工艺原计划于2024年进入量产阶段，但报道称其良率仅为20%，进展不如预期，三星仍计划在2024年10月前将良率提升至60%以上 。相较于4纳米工艺，SF3在相同功耗和晶体管密度下性能可提升22%，或在相同频率下功耗降低34%，芯片面积缩小21% 。相较于第一代3纳米工艺，第二代SF3工艺可使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35% 。
2024年初，三星开始对该工艺进行试产。其首款应用产品预计为可穿戴设备处理器，三星Galaxy Watch 7系列有望搭载。随后，三星计划将Exynos 2500手机芯片采用此工艺，并由Galaxy S25系列首发搭载，但该芯片因SF3工艺良率问题面临量产挑战 。进入2024年末至2025年，三星官方持续强调其SF3E（3纳米增强版）及后续版本良率已显著改善并趋于稳定，正积极争取包括谷歌、高通、联发科在内的客户订单 。
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