Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当未形成反型沟道时，MOS管处于截止区，其电压条件是：|VGS||VTP（PMOS）|，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路适合在低速、低频领域内应用，采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压，标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V，通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。直流输入电阻RGS即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比，MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。漏源击穿电压BVDS在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS，ID剧增的原因有漏极附近耗尽层的雪崩击穿和漏源极间的穿通击穿。栅源击穿电压BVGS在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。低频跨导gm在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导，反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数，在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间。三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS，CGS和CGD约为1～3pF，CDS约在0.1～1pF之间。低频噪声系数NF噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的，通常用噪声系数NF来表示，单位为分贝（dB），这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小。
