N3B是台积电第一代3纳米工艺节点 ，其关键尺寸接触栅极间距（CGP）为45纳米 。2022年4月12日，台积电宣布3纳米制程研发获得突破，并将其命名为N3B，并决定在2022年率先量产该制程。量产于新竹十二厂及南科十八厂P5厂同步投片，采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构 。
N3B实现了SRAM微缩，其单元尺寸为0.0199平方微米，相比N5工艺微缩了约5% 。2023年，苹果公司在其A17 Pro芯片中首次采用了N3B工艺，该芯片搭载于iPhone 15 Pro系列，成为首款采用3纳米工艺的手机芯片 。在2023年至2024年间，N3B工艺的主要乃至唯一客户是苹果公司，用于生产A17 Pro和M3系列芯片。该工艺在量产初期面临高成本和良率挑战，其初期良率据分析师估计在60%至80%之间，晶圆价格高达2万美元 。2024年，英特尔部分Arrow Lake移动处理器的某个Tile也采用了台积电N3B工艺 。至2026年，搭载英特尔酷睿Ultra 9 290HX Plus或酷睿Ultra 7 255HX等处理器的产品在宣传中提及采用了基于TSMC N3B的制程技术 。在台积电3纳米工艺家族中，N3B被定义为基础版，其后还有成本优化版（N3E）和性能增强版（N3P）等节点 。
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