1994年毕业于清华大学电子工程系（博士学位）。1991年至1993年作为清华大学-日本东京工业大学联合培养博士生赴日本东京工业大学荒井研究室留学，在此期间从事了应变量子阱激光器及放大器增益特性的研究。在理论上明确提出拉伸应变量子阱具有高微分增益和窄线宽的新论点；采用单层拉伸变量子阱有源区结构， 成功研制出低阈值(217A/cm2)的FP腔激光器和楔形波导大功率（单横模输出20.4dBm）光放大器；获得优秀博士论文奖。
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1994年毕业于清华大学电子工程系（博士学位）。1991年至1993年作为清华大学-日本东京工业大学联合培养博士生赴日本东京工业大学荒井研究室留学，在此期间从事了应变量子阱激光器及放大器增益特性的研究。在理论上明确提出拉伸应变量子阱具有高微分增益和窄线宽的新论点；采用单层拉伸变量子阱有源区结构， 成功研制出低阈值(217A/cm2)的FP腔激光器和楔形波导大功率（单横模输出20.4dBm）光放大器；获得优秀博士论文奖。
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